恒憶（Numonyx）作為相變存儲技術（PCM）的創(chuàng)新者，今天宣布正式推出全新系列相變存儲器。該系列產品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產品已經量產，并向市場供貨。

        這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現很多新功能。今天，新產品發(fā)布采用了新品牌Numonyx® Omneo™ PCM，其寫入速度有望達到現有閃存的300倍，耐寫次數達到10倍*。

        “自閃存于1988年問世至今，業(yè)內還從未見過一個如此嶄新的高密度存儲技術，”恒憶副總裁兼嵌入式系統(tǒng)業(yè)務部總經理Glen Hawk表示，“今天，對于代碼存儲和執(zhí)行，以及數據存儲應用，設計工程師必須使用不同類型的存儲器。現在，隨著恒憶的Omneo相變存儲器問世，設計人員將獲得一個簡單的、單一存儲器解決方案。”

         今天推出的新產品包括支持串行外設接口（SPI）的存儲器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存儲器(Omneo™ P8P PCM)。兩種接口產品都充利用新的PCM的技術優(yōu)勢，同時兼容工業(yè)標準的串行接口和并行接口。

Numonyx® Omneo™ P8P PCM

        Numonyx® P8P PCM是恒憶推出的第二款90nm128Mb并口相變存儲器。第一款是在2008年12月推出的，支持10萬次的耐寫次數。第二款產品將這個參數提高到100萬次。現在兩款產品均在量產。

Numonyx® Omneo™ P5Q PCM

        Omneo™ P5Q PCM是一款兼容高速SPI接口的90nm相變存儲器，集串行NOR閃存和EEPROM兩大存儲器的技術優(yōu)點于一身，具有字節(jié)修改功能以及更高的寫入速度和耐寫性能。

        新存儲器支持字節(jié)修改功能，執(zhí)行寫操作無需再擦除大數據區(qū)塊，從而使數據處理和軟件編程變得更容易。覆寫即“無擦除”功能讓工程師和設計人員能夠簡化軟件開發(fā)任務，提升系統(tǒng)性能，將存儲器寫時間縮短到閃存的三百分之一。新產品Omneo™ P5Q的耐寫次數達到100萬次，可寫數據的量次是閃存的10倍。

Numonyx® Omneo™演繹“全能，全新”

        恒憶還發(fā)布了公司為嵌入式應用相變存儲器創(chuàng)建的新品牌：Numonyx® Omneo™ PCM。采用產品專用品牌方法是為了更效地支持公司的產品戰(zhàn)略：針對特定的客戶應用市場需求，研發(fā)量身訂制的存儲器解決方案。

        “因為相變存儲器的特性不同，能夠解決不同細分市場的獨特難題，所以恒憶決定用差異化的品牌戰(zhàn)略宣傳新產品的獨特性，” 恒憶主管公司市場部的高級總監(jiān)Raymond Solone表示，“相變存儲器技術帶給客戶的新功能和優(yōu)勢，我們謀求直接將品牌戰(zhàn)略與PCM為實際應用領域帶來的價值，以及利用這項技術優(yōu)勢的細分市場緊密聯系起來。PCM是一項超乎尋常的存儲器技術。”

        Omneo™ 品牌代表相變存儲器適用于嵌入式設計領域所有應用的內在能力（“omni”）和新一類存儲器（“neo”）。從消費電子到工業(yè)應用，Omneo系列相變存儲器的研制目標是實現嵌入式存儲器系統(tǒng)創(chuàng)新的設計方法，提供長遠的制程升級能力和產品可靠性。

(編輯 小羅)